顯然，利用上述光電效應可以制造出簡單的p-n結光電二極管．但是，仔細研究將會發(fā)現(xiàn)，在p-n結中，由于有內建電場的作用中，內建電場使耗盡層的能帶形成一個“斜坡”——位壘），使光電子和光空穴的運動速度加快，從而，使光電流能快速地跟著光信號變化，即響應速度快．然而，在耗盡層以外產(chǎn)生的光電子和光空穴由于沒有內建電場的加速作用，運動速度慢，因而響應速度低，而且容易被復合掉，使光電轉換效率差，這是人們所不希望的．
為了改善光電檢測器的響應速度和轉換效率，顯然，適當加大耗盡層寬度是有利的，為此在制造時，在p型材料和n型材料之間加一層輕摻雜的n型材料，稱為i（intrinsic，本征的）層，加圖1所示．由于是輕摻雜，故電子濃度很低，經(jīng)擴散作用后可形成一個很寬的耗盡層，
另外，為了降低p-n結兩端的接觸電阻，以便與外電路聯(lián)接，將兩端的材料做成重摻雜的p+層和n+層．
人們將這種結構的光電二級管稱為pin光電二極管，制造這種晶體管的本征材料可以是si或ingaas，通過摻雜后形成p型材料和n型材料．pin光電二極管的結構示意如圖2所示。
圖1 pin光電二極管能帶圖和構成示意圖
圖2 pin光電二極管結構示意圖（剖面圖）